MR2A08ACYS35, MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
355 шт., срок 6-8 недель
8 700 руб.
от 10 шт. —
7 420 руб.
от 25 шт. —
6 460 руб.
от 50 шт. —
6 450.93 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 700 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
MRAM (магниторезистивное ОЗУ) ИС памяти 4 Мб (512 КБ x 8) Параллельный 35 нс 44-TSOP2
Технические параметры
| Access Time | 35ns |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
| Memory Format | RAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Size | 4Mb (512K x 8) |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
| Package | Tray |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 44-TSOP2 |
| Technology | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Voltage - Supply | 3V ~ 3.6V |
| Write Cycle Time - Word, Page | 35ns |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 894 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
