IRFB3206GPBF, MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

860 руб.

от 10 шт. — 680 руб.

от 25 шт. — 497 руб.

от 100 шт. — 434.79 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 860 руб.

Номенклатурный номер: 8005401950

Артикул: IRFB3206GPBF

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC

Id - непрерывный ток утечки	210 A
Pd - рассеивание мощности	300 W
Qg - заряд затвора	120 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	Through Hole
Высота	15.65 mm
Длина	10 mm
Другие названия товара №	SP001565784
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.4 mm
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current - (A)	210
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	3@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	60
Maximum Gate Source Voltage - (V)	??20
Maximum Power Dissipation - (mW)	300000
Military	No
Number of Elements per Chip	1
Operating Temperature - (??C)	-55~175
Packaging	Tube
Pin Count	3
Process Technology	HEXFET
Standard Package Name	TO-220
Supplier Package	TO-220AB
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)	120
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	120@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	6540@50V
Вес, г	6