IRFS4410TRLPBF, MOSFET MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 160 руб.
от 10 шт. —
900 руб.
от 25 шт. —
854 руб.
от 100 шт. —
656.84 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 160 руб.
Описание
This Infineon HEXFET Power MOSFET has improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 88 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.01 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Continuous Drain Current (Id) | 88A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 10mΩ@58A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@150uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.15nF@50V |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 200W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 180nC@10V |
| Type | null |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
IRFS4410PBF Datasheet
pdf, 799 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
