Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRL3705NSTRLPBF, MOSFET MOSFT 55V 89A 10mOhm ...

IRL3705NSTRLPBF, MOSFET MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

320 руб.

от 10 шт. — 290 руб.

от 100 шт. — 265 руб.

от 250 шт. — 245.31 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 320 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005402175

Артикул: IRL3705NSTRLPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	89 A
Pd - рассеивание мощности	3.8 W
Qg - заряд затвора	98 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	18 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	55 V
Vgs - напряжение затвор-исток	16 V, + 16 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	140 ns
Время спада	78 ns
Высота	2.3 mm
Длина	6.5 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	50 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	800
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	37 ns
Типичное время задержки при включении	12 ns
Торговая марка	Infineon / IR
Упаковка / блок	TO-252-3
Ширина	6.22 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	89 A
Maximum Drain Source Resistance	10 mO
Maximum Drain Source Voltage	55 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Вес, г	4