Реклама
Рекламодатель: АО «ЧИП и ДИП»
erid: LjN8KJZnZ
erid: LjN8KJZnZ
71V35761SA166BQGI, SRAM 128Kx36 Synch 3.3V PipeLined Burst SRAM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
122 шт., срок 6-8 недель
3 760 руб.
от 10 шт. —
3 310 руб.
от 25 шт. —
3 020 руб.
от 100 шт. —
2 458.55 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 760 руб.
Описание
Semiconductors\Memory ICs\SRAM
Технические параметры
| Access Time: | 3.5 ns |
| Brand: | Renesas Electronics |
| Factory Pack Quantity: | 136 |
| Interface Type: | Parallel |
| Manufacturer: | Renesas Electronics |
| Maximum Clock Frequency: | 166 MHz |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Memory Size: | 4 Mbit |
| Memory Type: | SDR |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Organisation: | 128 k x 36 |
| Package/Case: | CABGA-165 |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | IDT71V35761SA166BQGI 71V35761 |
| Product Category: | SRAM |
| Product Type: | SRAM |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
| Supply Current - Max: | 330 mA |
| Supply Voltage - Max: | 3.465 V |
| Supply Voltage - Min: | 3.135 V |
| Type: | Synchronous |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 286 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![DS1225Y-150+, Микросхема памяти, NVSRAM, 64Kb (8K x 8), Parallel [EDIP-28]](https://static.chipdip.ru/lib/824/DOC004824479.jpg)
![DS1225Y-150+, Микросхема памяти, NV SRAM, 64Kb (8K x 8), Parallel [EDIP-28]](https://static.chipdip.ru/lib/083/DOC035083841.jpg)
