APT85GR120JD60
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 200 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 11 200 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Modules
Модуль IGBT NPT, одиночный, 1200 В, 116 А, 543 Вт, для монтажа на шасси, SOT-227
Технические параметры
| Base Product Number | APT85GR120 -> |
| Configuration | Single |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 116A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1.1mA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | NPT |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 8.4nF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Power - Max | 543W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-227 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 85A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Pd - рассеивание мощности | 595 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 118 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 250 nA |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | ISOTOP-4 |
Техническая документация
Datasheet APT85GR120JD60
pdf, 960 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
