TIP35CP, Bipolar Transistors - BJT Complementary power transistors
495 шт., срок 7-9 недель
870 руб.
от 10 шт. —
760 руб.
от 25 шт. —
621 руб.
от 100 шт. —
478.17 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 870 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
100V 125W 10@15A,4V 25A NPN TO-3P-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 25A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 100V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 4V@25A, 5A |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 10@15A, 4V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 125W |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 3MHz |
| Вес, г | 7.161 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 192 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
