ZVN4210GTA, MOSFET N-Chnl 100V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
от 100 шт. —
134 руб.
от 500 шт. —
109.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 210 руб.
Описание
Trans MOSFET N-CH 100V 0.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single Dual Drain |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.8 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1500@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 4 |
PPAP | No |
Process Technology | DMOS |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-223 |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 30 |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 100(Max)@25V |
Typical Rise Time (ns) | 8 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4 |
Вес, г | 0.112 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 517 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов