F3L300R07PE4, IGBT Modules IGBT Module 300A 650V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
60 450 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 60 450 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.95 V |
| Configuration: | 3-Phase Inverter |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 300 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 6 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Chassis Mount |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | SP000711886 F3L300R07PE4BOSA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 940 W |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Series: | Trenchstop IGBT4 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TRENCHSTOP EconoPACK |
| Вес, г | 400 |
Техническая документация
Datasheet F3L300R07PE4
pdf, 790 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![FS200R12PT4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 280 А, 1.75 В, 1 кВт, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/296/DOC005296256.jpg)
