BSC020N03LSGATMA1, MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
от 10 шт. —
210 руб.
от 100 шт. —
172 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 290 руб.
Описание
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | No Lead |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 28 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 2 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 8 |
| Pin Count | 8 |
| PPAP | No |
| Process Technology | OptiMOS |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SON |
| Supplier Package | TDSON EP |
| Typical Fall Time (ns) | 7 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 70 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 70 10V|34 4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 5400 15V |
| Typical Rise Time (ns) | 7 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 42 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1051 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
