DF80R07W1H5FPB11BPSA1, IGBT Modules EASY STANDARD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 650 руб.
от 10 шт. —
13 480 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 15 650 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 20 mW |
Вид монтажа | Screw Mount |
Другие названия товара № | DF80R07W1H5FP_B11 SP001781604 |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP EasyPACK CoolSiC |
Конфигурация | Dual |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.4 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 20 A |
Подкатегория | IGBTs |
Продукт | IGBT Silicon Carbide Modules |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | Trenchstop IGBT5 - H5 |
Технология | SiC |
Тип продукта | IGBT Modules |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tray |
Упаковка / блок | Module |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet DF80R07W1H5FPB11BPSA1
pdf, 645 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов