IPD90N10S4L06ATMA1, MOSFET MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
810 руб.
от 10 шт. —
600 руб.
от 100 шт. —
448 руб.
от 250 шт. —
411.79 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 810 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 75 В до 100 В Infineon Technologies Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 75 В до 100 В сертифицированы по стандарту AEC-Q101 для автомобильных приложений и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D- PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти полевые МОП-транзисторы идеально подходят для систем впрыска топлива, приложений беспроводной зарядки в автомобиле и подсистемы питания 48 В, снижающей выбросы CO 2, известной как Board Net.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 40 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | IPD90N10S4L-06 SP000866562 |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 98 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.8 mOhms |
| Rise Time: | 6 ns |
| Series: | IPD90N10 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 90A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6250pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6 mOhm @ 90A, 10V |
| Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOSв(ў |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 90ВµA |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 130 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
