RD3H045SPTL1, MOSFET Pch -45V -4.5A TO-252 (DPAK)

Фото 1/3 RD3H045SPTL1, MOSFET Pch -45V -4.5A TO-252 (DPAK)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
11182 шт., срок 6-8 недель
330 руб.
от 10 шт.250 руб.
от 100 шт.182 руб.
от 500 шт.146.52 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 330 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005508895
Артикул: RD3H045SPTL1
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор Pch -45V -4.5A TO-252 (DPAK)

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 4.5 A
Pd - рассеивание мощности 15 W
Qg - заряд затвора 12 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 155 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 45 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 8 ns
Время спада 8 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 3 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Серия RD3H
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Типичное время задержки выключения 35 ns
Типичное время задержки при включении 8 ns
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок TO-252-3
Channel Type P Channel
Drain Source On State Resistance 0.11Ом
Power Dissipation 15Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 45В
Непрерывный Ток Стока 4.5А
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 15Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.11Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Channel Mode Enhancement
Maximum Continuous Drain Current 4.5 A
Maximum Drain Source Voltage 45 V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-252
Pin Count 3
Transistor Material Si
Вес, г 0.7153

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1617 КБ
Datasheet RD3H045SPTL1
pdf, 1667 КБ
Datasheet RD3H045SPTL1
pdf, 2814 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.