Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Rohm › RGTH00TS65DGC11, IGBT Transistors 650V 50A ...

RGTH00TS65DGC11, IGBT Transistors 650V 50A IGBT Stop Trench

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

391 шт., срок 6-8 недель

1 660 руб.

от 10 шт. — 1 290 руб.

от 25 шт. — 1 180 руб.

от 100 шт. — 942 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 660 руб.

Номенклатурный номер: 8005508910

Артикул: RGTH00TS65DGC11

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Траншейные IGBT с полевым затвором

ROHM Полевые затворные транзисторы с канавкой IGBT - это энергосберегающие, высокоэффективные IGBT, которые используются в широком диапазоне высоковольтных и сильноточных приложений. Эти IGBT имеют низкое напряжение насыщения коллектора и эмиттера, короткое замыкание, которое выдерживает время, и встроенный FRD с очень быстрым и мягким восстановлением. Траншейные транзисторы IGBT с ограничителем поля идеально подходят для ИБП, стабилизаторов питания, сварочных аппаратов и инверторов общего назначения для промышленного использования.

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности:	277 W
Вид монтажа:	Through Hole
Диапазон рабочих температур:	-40 C to+175 C
Другие названия товара №:	RGTH00TS65D
Максимальная рабочая температура:	+175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:	30 V
Минимальная рабочая температура:	-40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:	85 A
Непрерывный коллекторный ток:	50 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.:	85 A
Подкатегория:	IGBTs
Производитель:	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки:	450
Серия:	RGTH00TS65
Технология:	Si
Тип продукта:	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер:	+/-200 nA
Торговая марка:	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок:	TO-247-3
Упаковка:	Tube
Вес, г	38