SSM3K116TU,LF, MOSFET Small-signal MOSFET High Speed Switching
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
238 шт., срок 7-9 недель
160 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 160 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор Small-signal МОП-транзистор High Speed Switching
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 2.2 A |
| Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.7 mm |
| Длина | 2 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SSM3K116 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 15 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | UFM-3 |
| Ширина | 1.7 mm |
| Вес, г | 0.0066 |
Техническая документация
Datasheet SSM3K116TU.LF
pdf, 156 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
