MJD122-TP, Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 8A DPAK

MJD122-TP, Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 100V 8A DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
250 руб.
от 10 шт.210 руб.
от 100 шт.138 руб.
от 500 шт.104.20 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 250 руб.
Номенклатурный номер: 8005523880
Артикул: MJD122-TP

Описание

Trans Darlington NPN 100V 8A 1500mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Технические параметры

Automotive No
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Gull-wing
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 4.5 80mA 8A
Maximum Collector Base Voltage (V) 100
Maximum Collector Cut-Off Current (uA) 0.01
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 2 16mA 4A|4 80mA 8A
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 100
Maximum Continuous DC Collector Current (A) 8
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 1500
Minimum DC Current Gain 1000 4A 4V|100 8A 4V
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 2
Pin Count 3
PPAP No
Standard Package Name TO-252
Supplier Package DPAK
Tab Tab
Type NPN
Вес, г 0.333

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1123 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов