IRL3803STRLPBF, MOSFET MOSFT 30V 140A 6mOhm 93.3nC Log Lvl
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
680 руб.
от 10 шт. —
540 руб.
от 100 шт. —
403 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 680 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Описание Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 30В, 140А
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 140 A |
| Pd - рассеивание мощности | 3.8 W |
| Qg - заряд затвора | 140 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 230 ns |
| Время спада | 35 ns |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 55 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 29 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Base Product Number | IRL3803 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 140A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5000pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 71A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HEXFETВ® -> |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250ВµA |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 140 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 9 mO |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
