IRLB3813PBF, MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
490 руб.
от 10 шт. —
380 руб.
от 100 шт. —
295 руб.
от 500 шт. —
241.01 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 490 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 30В, 260А
Технические параметры
| Крутизна характеристики S,А/В | 140 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2.35 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 1.95 |
| Температура, С | -55…+175 |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0016Ом |
| Power Dissipation | 230Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 260А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.9В |
| Рассеиваемая Мощность | 230Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0016Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 260 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.35V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 230 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.35V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 57 nC @ 4.5 V |
| Width | 4.83mm |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
