APT75GN120LG, IGBT Transistors IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 75 A TO-264
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 600 руб.
от 10 шт. —
4 370 руб.
от 25 шт. —
3 890 руб.
от 100 шт. —
3 196.39 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 600 руб.
Описание
Полевой упор для траншеи IGBT 1200 В, 200 А, 833 Вт, сквозное отверстие TO-264 [L]
Технические параметры
Base Product Number | APT75GN120 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 225A |
ECCN | EAR99 |
Gate Charge | 425nC |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Type | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
Power - Max | 833W |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Supplier Device Package | TO-264 [L] |
Switching Energy | 8620ВµJ (on), 11400ВµJ (off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 60ns/620ns |
Test Condition | 800V, 75A, 1Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet APT75GN120LG
pdf, 400 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов