Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Rohm › BC847BU3T106, Bipolar Transistors - BJT NPN ...

BC847BU3T106, Bipolar Transistors - BJT NPN General purpose small signal amplifier (50V, 150mA). BC847BU3 is bipolar transistor for audio f

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6874 шт., срок 7-9 недель

110 руб.

от 10 шт. — 72 руб.

от 100 шт. — 33 руб.

от 1000 шт. — 19.18 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 110 руб.

Номенклатурный номер: 8005545303

Артикул: BC847BU3T106

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	450
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	250 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	200 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-323-3
Collector Emitter Voltage Max	45В
Continuous Collector Current	100мА
DC Current Gain hFE Min	200hFE
DC Усиление Тока hFE	200hFE
Power Dissipation	200мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-323
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	200МГц
Вес, г	1