IRF710PBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
340 руб.
от 50 шт. —
240 руб.
от 100 шт. —
184 руб.
от 500 шт. —
145.53 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 340 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 1,2А, 36Вт, TO220AB Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Pd - рассеивание мощности | 36 W |
| Qg - заряд затвора | 17 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.6 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 9.9 ns |
| Время спада | 11 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IRF |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 21 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 36W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 2 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.6 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 36 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Width | 4.7mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 133 КБ
Datasheet
pdf, 134 КБ
Datasheet IRF710PBF
pdf, 278 КБ
IRF710 Datasheet
pdf, 165 КБ
Документация
pdf, 276 КБ
Datasheet IRF710
pdf, 154 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
