IPP076N12N3GXKSA1
1 030 руб.
от 50 шт. —
710 руб.
от 100 шт. —
564 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 030 руб.
Описание
MOSFET, N-CH, 120V, 100A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:120V; On Resistance Rds(on):0.0065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:188W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:OptiMOS 3 Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
Automotive | Yes |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 100 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 7.6@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 120 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 188000 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
Packaging | Tube |
Pin Count | 3 |
Standard Package Name | TO-220 |
Supplier Package | TO-220 |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 76 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 76@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 4990@60V |
Техническая документация
Datasheet IPP076N12N3GXKSA1
pdf, 545 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов