CMPDM7002AG TR PBFREE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
104600 шт., срок 7-9 недель
160 руб.
от 10 шт. —
120 руб.
от 100 шт. —
66 руб.
от 500 шт. —
57.28 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 160 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005826103
Бренд: Central Semiconductor Corp
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 60 В 280 мА (Ta) 350 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-23
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 280mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 500mA, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | 40V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Brand: | Central Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 280 mA |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-23 |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 592 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 Ohms |
| Series: | CMxxDM |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -40 V, +40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 632 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
