W979H2KBVX2I

W979H2KBVX2I
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
31 шт., срок 6-8 недель
1 470 руб.
от 10 шт.1 180 руб.
от 25 шт.1 120 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 470 руб.
Номенклатурный номер: 8005847523

Описание

Integrated Circuits (ICs)\Memory
SDRAM - мобильная микросхема памяти LPDDR2 512 МБ (16M x 32) Параллельный 400 МГц 134-VFBGA (10x11,5)

Технические параметры

Clock Frequency 400MHz
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0028
Memory Format DRAM
Memory Interface Parallel
Memory Size 512Mb (16M x 32)
Memory Type Volatile
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
Package Tray
Package / Case 134-VFBGA
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 134-VFBGA (10x11.5)
Technology SDRAM - Mobile LPDDR2
Voltage - Supply 1.14V ~ 1.95V
Write Cycle Time - Word, Page 15ns
Brand: Winbond
Data Bus Width: 32 bit
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 168
Manufacturer: Winbond
Maximum Clock Frequency: 400 MHz
Maximum Operating Temperature: +85 C
Memory Size: 512 Mbit
Minimum Operating Temperature: -40 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Organization: 16 M x 32
Package / Case: VFBGA-134
Product Category: DRAM
Product Type: DRAM
Series: W979H2KB
Subcategory: Memory & Data Storage
Supply Current - Max: 25 mA
Supply Voltage - Max: 1.95 V
Supply Voltage - Min: 1.14 V
Type: SDRAM Mobile-LPDDR2

Техническая документация

Datasheet W979H2KBVX2I
pdf, 2452 КБ
Datasheet W979H2KBVX2I
pdf, 2438 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.