RGT16TM65DGC9
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1000 шт., срок 6-8 недель
800 руб.
от 10 шт. —
610 руб.
от 100 шт. —
452 руб.
от 500 шт. —
332.64 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 800 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 9А |
| Power Dissipation | 22Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220NFM |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet RGT16TM65DGC9
pdf, 1555 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
