APT50GS60BRDQ2G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 570 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 570 руб.
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.8 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 93 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 93 A |
| Continuous Collector Current: | 93 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Microchip |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Operating Temperature Range: | -55 C to+150 C |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 415 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | Thunderbolt HS |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3), Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]](https://static.chipdip.ru/lib/569/DOC010569041.jpg)
