BSS806NEH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
88 руб.
от 100 шт. —
41 руб.
от 500 шт. —
33.65 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Описание Транзистор полевой N-MOSFET BSS806NEH6327XTSA1 от производителя INFINEON предназначен для монтажа типа SMD. Отличается током стока 2,3 А, напряжением сток-исток 20 В и мощностью 0,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,082 Ом. Компактный корпус SOT23 делает его идеальным выбором для миниатюрных схем. Код товара BSS806NEH6327XTSA1 подчеркивает его уникальность и облегчает поиск в каталоге. Этот транзистор обеспечивает высокую эффективность и надежность в различных областях применения, где требуется управление мощностью на низком уровне. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 2.3 |
Напряжение сток-исток, В | 20 |
Мощность, Вт | 0.5 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.082 |
Корпус | SOT23 |
Технические параметры
Base Product Number | BSS806 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.3A (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 2.5V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 2.5V |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 529pF @ 10V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 2.3A, 2.5V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | Automotive, AEC-Q101, HEXFETВ® -> |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±8V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 0.75V @ 11ВµA |
Id - непрерывный ток утечки | 2.3 A |
Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
Qg - заряд затвора | 1.7 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 41 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 550 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 9.9 ns |
Время спада | 3.7 ns |
Высота | 1.1 mm |
Длина | 2.9 mm |
Другие названия товара № | BSS806NE H6327 SP000999336 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 9 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BSS806 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 12 ns |
Типичное время задержки при включении | 7.5 ns |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.3 mm |
Brand | Infineon Technologies |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Fall Time | 3.7 ns |
Forward Transconductance - Min | 9 S |
Height | 1.1 mm |
Id - Continuous Drain Current | 2.3 A |
Length | 2.9 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Packaging | Reel |
Part # Aliases | BSS806NE H6327 SP000999336 |
Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 1.7 nC |
Qualification | AEC-Q100 |
Rds On - Drain-Source Resistance | 41 mOhms |
Rise Time | 9.9 ns |
RoHS | Details |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 7.5 ns |
Unit Weight | 0.000282 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 300 mV |
Width | 1.3 mm |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 2.3 A |
Maximum Drain Source Resistance | 82 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 0.75V |
Maximum Power Dissipation | 500 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.3V |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 1.7 nC @ 2.5 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BSS806NEH6327XTSA1
pdf, 566 КБ
Datasheet BSS806NEH6327XTSA1
pdf, 509 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов