2SD1047
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1820 шт., срок 7-9 недель
1 410 руб.
от 30 шт. —
960 руб.
от 120 шт. —
770 руб.
от 510 шт. —
636.84 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 410 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 140В, 12А, 100Вт, TO3P Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Base Product Number | 2SD1047 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 1A, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 20MHz |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Power - Max | 100W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 700mA, 7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 140V |
| Pd - рассеивание мощности | 100 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 140 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 12 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 20 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 300 |
| Серия | 2SD1047 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-3P-3 |
| Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Maximum Collector Base Voltage | 200 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 140 V |
| Maximum DC Collector Current | 20 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 20 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 100 W |
| Minimum DC Current Gain | 60 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Collector Current (Ic) | 12A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 140V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 2.5V@5A, 500mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@1A, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 120W |
| Transition Frequency (fT) | 15MHz |
| Case | TO3P |
| Collector current | 12A |
| Collector-emitter voltage | 140V |
| Frequency | 20MHz |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting | THT |
| Polarisation | bipolar |
| Power dissipation | 100W |
| Type of transistor | NPN |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
