2SD1047

2SD1047
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
681 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
670 руб.
от 10 шт.600 руб.
от 25 шт.562 руб.
от 100 шт.486.34 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 670 руб.
Номенклатурный номер: 8005883873
Производитель: STMicroelectronics

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Bipolar (BJT) Transistor NPN 140V 12A 20MHz 100W Through Hole TO-3P

Технические параметры

Base Product Number 2SD1047 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 12A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 1A, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 20MHz
HTSUS 8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Other Related Documents http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package Tube
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max 100W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-3P
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 700mA, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 140V
Pd - рассеивание мощности 100 W
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 50
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 140 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 12 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 20 MHz
Размер фабричной упаковки 300
Серия 2SD1047
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-3P-3

Дополнительная информация

Datasheet 2SD1047
Datasheet 2SD1047
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах