SSM3K15F,LF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
32235 шт., срок 7-9 недель
73 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 219 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 30 В 100 мА (Ta) 200 мВт (Ta) S-Mini для поверхностного монтажа
Технические параметры
| Base Product Number | 2SC6010 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7.8pF @ 3V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 10mA, 4V |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Series | ПЂ-MOSIV -> |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100ВµA |
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Forward Transconductance - Min: | 25 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 mA |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-263-3 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 Ohms |
| Series: | SSM3K15F |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MOSVI |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 180 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 50 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| FET Feature | - |
| Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
Техническая документация
Datasheet SSM3K15F,LF
pdf, 177 КБ
Datasheet SSM3K15F.LF
pdf, 173 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
