RGTV60TK65GVC11

Фото 1/2 RGTV60TK65GVC11
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
30 шт., срок 7-9 недель
710 руб.
Кратность заказа 6 шт.
от 12 шт.570 руб.
Добавить в корзину 6 шт. на сумму 4 260 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8022895149
Бренд: Rohm

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 76 W
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 33 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 33 A
Подкатегория IGBTs
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-3PFM
Collector Emitter Saturation Voltage 1.5В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 33А
Power Dissipation 76Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции Field Stop Trench RGTV Series
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-3PFM

Техническая документация

Datasheet RGTV60TK65GVC11
pdf, 1532 КБ
Datasheet RGTV60TK65GVC11
pdf, 1538 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.