AS6C4008-55PIN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 290 руб.
от 13 шт. —
1 980 руб.
от 26 шт. —
1 810 руб.
от 52 шт. —
1 801.87 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 290 руб.
Описание
Integrated Circuits (ICs)\Memory
Описание IC: SRAM memory; 512kx8bit; 2.7?5V; 55ns; DIP32; parallel; 600mils Характеристики Категория | Микросхема |
Тип | памяти |
Вид | SRAM |
Технические параметры
Access Time | 55ns |
ECCN | 3A991B2A |
HTSUS | 8542.32.0041 |
Memory Format | SRAM |
Memory Interface | Parallel |
Memory Size | 4Mb (512K x 8) |
Memory Type | Volatile |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
Package | Tube |
Package / Case | 32-DIP (0.600"", 15.24mm) |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | 32-PDIP |
Technology | SRAM - Asynchronous |
Voltage - Supply | 2.7V ~ 5.5V |
Write Cycle Time - Word, Page | 55ns |
Low Power | Yes |
Maximum Operating Supply Voltage | 5.5 V |
Maximum Operating Temperature | +85 °C |
Maximum Random Access Time | 55ns |
Minimum Operating Supply Voltage | 2.7 V |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Number of Bits per Word | 8bit |
Number of Words | 524288 |
Organisation | 512K x 8 |
Package Type | PDIP-32 |
Pin Count | 32 |
Timing Type | Asynchronous |
Width | 13.818mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 716 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем