TIP36CW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
489 шт., срок 7-9 недель
850 руб.
от 30 шт. —
580 руб.
от 120 шт. —
463 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 850 руб.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT HIGH POWER TRANS
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 125000 mW |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 20.15 mm (Max) |
Длина | 15.75 mm (Max) |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 25 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN, PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
Размер фабричной упаковки | 600 |
Серия | TIP36CW |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Ширина | 5.15 mm (Max) |
Вес, г | 8.5 |
Техническая документация
Datasheet TIP36CW
pdf, 178 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.