2SA2007E
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
371 шт., срок 7-9 недель
790 руб.
от 10 шт. —
600 руб.
от 100 шт. —
447 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 790 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор PNP 60V 12A 80MHz 25W Through Hole TO-220FN
Технические параметры
| Base Product Number | 2SA2007 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10ВµA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 320 @ 2A, 2V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Power - Max | 25W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-220FN |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 400mA, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Техническая документация
Datasheet 2SA2007E
pdf, 52 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
