RGT30NS65DGC9

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2896 шт., срок 6-8 недель

860 руб.

610 руб.

от 50 шт. — 420 руб.

от 100 шт. — 352 руб.

от 500 шт. — 299.81 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 610 руб.

Номенклатурный номер: 8005941830

Бренд: Rohm

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Pd - рассеивание мощности	133 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	RGT30NS65D(TO-262)
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	30 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	50
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-262-3
Channel Type	P
Gate Capacitance	780pF
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	30 A
Maximum Gate Emitter Voltage	30V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	133 W
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Transistors	1
Package Type	TO-262
Pin Count	3+Tab
Transistor Configuration	Single