ZVN4306GTA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
440 руб.
от 10 шт. —
330 руб.
от 100 шт. —
241 руб.
от 500 шт. —
190.76 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 440 руб.
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.1 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 330 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 3 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Width | 3.7mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 16 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 0.7 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.1 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-223-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 330 mOhms |
| Rise Time: | 25 ns |
| Series: | ZVN4306 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | FET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
| Automotive | No |
| Configuration | Single Dual Drain |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.1 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 330@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SOT |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 16(Max) |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 350(Max)@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 25(Max) |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30(Max) |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8(Max) |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.1A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 330mΩ@10V, 3A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@1mA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 350pF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 3W |
| Type | N Channel |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
