IXYH24N90C3D1, IGBT Transistors 900V 24A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 450 руб.
от 10 шт. —
2 810 руб.
от 30 шт. —
2 390 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 450 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V 24A 2.7V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode
Технические параметры
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | XPT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 900 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.7 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 44 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| California Prop 65 | Warning Information |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 44A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 105A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 40nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power - Max | 200W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Reverse Recovery Time (trr) | 340ns |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | GenX3в„ў, XPTв„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Switching Energy | 1.35mJ (on), 400ВµJ (off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 20ns/73ns |
| Test Condition | 450V, 24A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 24A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V |
| Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet IXYH24N90C3D1
pdf, 372 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
