SSM3K15AMFV,L3F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1696 шт., срок 7-9 недель
88 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 264 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 30 В 100 мА (Ta) 150 мВт (Ta) Поверхностный монтаж VESM
Технические параметры
Base Product Number | TLP4202 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100mA (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13.5pF @ 3V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SOT-723 |
Power Dissipation (Max) | 150mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6Ohm @ 10mA, 4V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Series | U-MOSIII -> |
Supplier Device Package | VESM |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100ВµA |
Id - непрерывный ток утечки | 100 mA |
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.6 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.5 mm |
Длина | 1.2 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | U-MOSIII |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 8000 |
Серия | SSM3K15 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 35 ns |
Типичное время задержки при включении | 5.5 ns |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | SOT-723-3 |
Ширина | 0.8 mm |
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Product Category | Small Signal |
Material | Si |
Configuration | Single |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.1 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3600@4V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 13.5@3V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 150 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | VESM |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Length | 1.2 |
Package Width | 0.8 |
PCB changed | 3 |
Техническая документация
Datasheet SSM3K15AMFV,L3F
pdf, 220 КБ
Datasheet SSM3K15AMFV,L3F
pdf, 225 КБ
Datasheet SSM3K15AMFV.L3F
pdf, 220 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.