APT75GT120JU2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 000 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 000 руб.
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.7 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 100 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 500 nA |
| Manufacturer: | Microchip |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Chassis Mount |
| Operating Temperature Range: | -55 C to+150 C |
| Package / Case: | SOT-227-4 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 416 W |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | ISOTOP |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 562 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
