MR4A08BYS35

Фото 1/2 MR4A08BYS35
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
506 шт., срок 6-8 недель
10 480 руб.
от 10 шт.8 810 руб.
от 25 шт.7 910 руб.
от 40 шт.7 708.78 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 10 480 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8006025376

Описание

Integrated Circuits (ICs)\Memory
MRAM (магниторезистивная RAM) ИС памяти 16 Мб (2M x 8) Параллельный 35 нс 44-TSOP2

Технические параметры

Access Time 35ns
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0071
Memory Format RAM
Memory Interface Parallel
Memory Size 16Mb (2M x 8)
Memory Type Non-Volatile
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 0В°C ~ 70В°C (TA)
Package Tray
Package / Case 44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 44-TSOP2
Technology MRAM (Magnetoresistive RAM)
Voltage - Supply 3V ~ 3.6V
Write Cycle Time - Word, Page 35ns
Access Time: 35 ns
Brand: Everspin Technologies
Data Bus Width: 8 bit
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 135
Interface Type: Parallel
Manufacturer: Everspin Technologies
Maximum Operating Temperature: +70 C
Memory Size: 16 Mbit
Minimum Operating Temperature: 0 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Operating Supply Current: 100 mA
Organization: 2 M x 8
Package / Case: TSOP-44
Packaging: Tray
Product Category: MRAM
Product Type: MRAM
Series: MR4A08B
Subcategory: Memory & Data Storage
Supply Voltage - Max: 3.6 V
Supply Voltage - Min: 3 V

Техническая документация

Datasheet
pdf, 832 КБ
Datasheet
pdf, 831 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.