RGW80TK65DGVC11
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
440 шт., срок 6-8 недель
1 780 руб.
1 370 руб.
от 30 шт. —
940 руб.
от 120 шт. —
814 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 370 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 81 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 39 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 39 A |
Подкатегория | IGBTs |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-3PFM |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 39А |
Power Dissipation | 81Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PFM |
Техническая документация
Datasheet RGW80TK65DGVC11
pdf, 1850 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.