Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Rohm › RGT8TM65DGC9

RGT8TM65DGC9

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

867 шт., срок 6-8 недель

630 руб.

от 50 шт. — 430 руб.

от 100 шт. — 353 руб.

от 500 шт. — 279.41 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 630 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8006050525

Бренд: Rohm

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single

Траншейный полевой упор IGBT 650V 5A 16W сквозное отверстие TO-220NFM

Технические параметры

Base Product Number	RGT8TM65 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	5A
Current - Collector Pulsed (Icm)	12A
ECCN	EAR99
Gate Charge	13.5nC
HTSUS	8541.29.0095
IGBT Type	Trench Field Stop
Input Type	Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Power - Max	16W
Reverse Recovery Time (trr)	40ns
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-220NFM
Td (on/off) @ 25В°C	17ns/69ns
Test Condition	400V, 4A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Pd - рассеивание мощности	16 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	5 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	50
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3