IXTA26P20P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 910 руб.
от 50 шт. —
1 340 руб.
от 100 шт. —
1 200 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 910 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Описание Транзистор P-MOSFET, PolarP™, полевой, -200В, -26А, 300Вт, TO263
Технические параметры
| California Prop 65 | Warning Information |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 26A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2740pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 13A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | PolarPв„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-263 (IXTA) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 26 A |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Qg - заряд затвора | 56 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 170 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 33 ns |
| Время спада | 21 ns |
| Высота | 4.83 mm |
| Длина | 10.41 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 10 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IXTA26P20 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 46 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-263AA-3 |
| Ширина | 9.65 mm |
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.17Ом |
| Power Dissipation | 300Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PolarP |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
| Непрерывный Ток Стока | 26А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 300Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.17Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263AA |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
