APT150GN60JDQ4

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

10 900 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 10 900 руб.

Номенклатурный номер: 8006059075

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi

Pd - рассеивание мощности	536 W
Вид монтажа	Chassis Mount
Высота	9.6 mm
Диапазон рабочих температур	55 C to + 175 C
Длина	38.2 mm
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Коммерческое обозначение	ISOTOP
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 30 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	220 A
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	1
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	600 nA
Торговая марка	Microsemi
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	SOT-227-4
Ширина	25.4 mm

Мы рекомендуем