ALD1115PAL

32 шт., срок 7-9 недель
1 780 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 780 руб.
Номенклатурный номер: 8006120705

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Массив Mosfet N и P-каналы, дополнительные 10,6 В, 500 мВт, сквозное отверстие 8-PDIP

Технические параметры

California Prop 65 Warning Information
Drain to Source Voltage (Vdss) 10.6V
ECCN EAR99
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel Complementary
HTSUS 8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3pF @ 5V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 0В°C ~ 70В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case 8-DIP (0.300"", 7.62mm)
Power - Max 500mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1800Ohm @ 5V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 8-PDIP
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1ВµA
Вес, г 706

Техническая документация

Datasheet ALD1115PAL
pdf, 70 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.