RGS50TSX2DHRC11

RGS50TSX2DHRC11
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
108 шт., срок 6-8 недель
2 960 руб.
от 30 шт.2 080 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 960 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8006188683
Бренд: Rohm

Описание

RGS Field Stop Trench Automotive IGBTs

ROHM Semiconductor RGS Field Stop Trench Automotive IGBTs are AEC-Q101 rated automotive IGBTs that are available in 1200V and 650V variants. These IGBTs deliver class-leading low conduction loss that contributes to reducing the size and improving the efficiency of applications. The RGS IGBTs utilize original trench-gate and thin-wafer technologies. These technologies help to achieve low collector-emitter saturation voltage (V CE(sat) ) with reduced switching losses. These IGBTs provide increased energy savings in a variety of high voltage and high current applications.

Технические параметры

Brand: ROHM Semiconductor
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.7 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 50 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 30
Gate-Emitter Leakage Current: 500 nA
Manufacturer: ROHM Semiconductor
Maximum Gate Emitter Voltage: -30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-247N-3
Packaging: Tube
Part # Aliases: RGS50TSX2DHR
Pd - Power Dissipation: 395 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Qualification: AEC-Q101
Subcategory: IGBTs
Technology: Si

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.