BSL202SNH6327XTSA1, MOSFET SMALL SIGNAL+N-CH
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
от 100 шт. —
108 руб.
от 500 шт. —
81.02 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 190 руб.
Описание
The Infineon N-channel small signal MOSFET 20 V automotive and industrial manufacturers a broad portfolio of N and P-channel small signal MOSFETs that meet and exceed the highest quality requirements in well-known industry standard packages.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.017Ом |
| Power Dissipation | 2Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS 2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Непрерывный Ток Стока | 7.5А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 950мВ |
| Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.017Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSOP |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.5 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Mounting Type | SMD |
| Package Type | TSOP-6 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet BSL202SNH6327XTSA1
pdf, 452 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
