IRF1010ESTRLPBF, Транзисторы и сборки MOSFET TO263

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

350 руб.

от 5 шт. — 270 руб.

от 25 шт. — 209 руб.

от 100 шт. — 177.32 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 350 руб.

Номенклатурный номер: 8021741633

Артикул: IRF1010ESTRLPBF

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’.

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	84 A
Maximum Drain Source Resistance	0.012 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Material	Silicon
Вес, г	1

pdf, 222 КБ

Мы рекомендуем