TK3R1A04PL,S4X, MOSFET N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2850 шт., срок 7-9 недель

370 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 370 руб.

Номенклатурный номер: 8006211088

Артикул: TK3R1A04PL,S4X

Бренд: Toshiba

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W

Id - непрерывный ток утечки	82 A
Pd - рассеивание мощности	36 W
Qg - заряд затвора	63.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	40 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.4 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	12 ns
Время спада	27 ns
Высота	15 mm
Длина	10 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	U-MOSIX-H
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	TK3R1A04
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	83 ns
Типичное время задержки при включении	28 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.5 mm
Вес, г	2

pdf, 433 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем