HN1B04FE-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

224740 шт., срок 7-9 недель

88 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 88 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8006211527

Артикул: HN1B04FE-GR,LF

Бренд: Toshiba

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp

Pd - рассеивание мощности	100 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	400
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	150 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V, - 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	100 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	80 MHz, 80 MHz
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	HN1B04
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SOT-563-6
Collector-Emitter Breakdown Voltage	50V
Maximum DC Collector Current	150mA
Pd - Power Dissipation	100mW
Transistor Type	NPN,PNP
Вес, г	0.003