IPD60R360PFD7SAUMA1, MOSFET CONSUMER
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
от 10 шт. —
220 руб.
от 100 шт. —
168 руб.
от 500 шт. —
152.34 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Описание
The Infineon 600V CoolMOS PFD7 super junction MOSFET complements the CoolMOS 7 offering for consumer applications.
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.303Ом |
Power Dissipation | 43Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | CoolMOS PFD7 SJ |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 10А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 43Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.303Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Maximum Continuous Drain Current | 24 A |
Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | PG-TO252-3 |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet IPD60R360PFD7SAUMA1
pdf, 609 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов